國(guó)內(nèi)首臺(tái)關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備出機(jī)中芯國(guó)際，面向 300mm（12 英寸）硅片工藝制程

　　7 月 6 日消息 近日，東方晶源舉行國(guó)內(nèi)首臺(tái)關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備(CD-SEM)出機(jī)儀式，正式宣布斬獲訂單并出機(jī)中芯國(guó)際。

▲ 圖自東方晶源

　　此次出機(jī)的關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備(型號(hào)：SEpA-c410)面向 300mm(12 英寸)硅片工藝制程，可實(shí)現(xiàn)高重復(fù)精度、高分辨率及高產(chǎn)能的關(guān)鍵尺寸量測(cè)。進(jìn)駐中芯國(guó)際后，將通過實(shí)際產(chǎn)線驗(yàn)證，進(jìn)一步提升、完善設(shè)備性能，向產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)整體邁進(jìn)。

　　芯片代工廠商要想生產(chǎn)出高良品率的芯片，除了芯片制造的主要工藝外，缺陷檢測(cè)以及各項(xiàng)關(guān)鍵尺寸的檢測(cè)也是工藝流程中不可或缺的環(huán)節(jié)。東方晶源出臺(tái)的這臺(tái) 300mm 硅片量測(cè)設(shè)備，其作用是對(duì)有效制程效力范圍內(nèi)的各項(xiàng)環(huán)節(jié)進(jìn)行工藝評(píng)定。例如的薄膜厚度是否符合制程標(biāo)準(zhǔn)，芯片在完成刻蝕流程環(huán)節(jié)后，是否會(huì)影響硅片電性參數(shù)等。

　　此次出機(jī)儀式，標(biāo)志著東方晶源繼 2019 年攻克電子束缺陷檢測(cè)技術(shù)后，再一次取得重大產(chǎn)品技術(shù)突破，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備(CD-SEM)的市場(chǎng)空白。

　　IT之家了解到，東方晶源自成立以來，專注于芯片制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)的良率控制和提升領(lǐng)域。在北京市經(jīng)信局、亦莊管委會(huì)、國(guó)家 02 重大專項(xiàng)組、合作伙伴和投資方的共同支持下，不斷取得重要產(chǎn)品技術(shù)突破，公司旗下計(jì)算光刻系列軟件(OPC)、電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備(EBI)均已通過國(guó)際大廠產(chǎn)線驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)訂單收入，在國(guó)產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域取得了矚目的成績(jī)。此次出機(jī)，東方晶源在良率控制產(chǎn)品線添加了至關(guān)重要的一環(huán)，也解決了我國(guó)在芯片制造領(lǐng)域中又一項(xiàng)“卡脖子”難題。

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