三星電子推出3納米芯片制造工藝設計工具和技術

　　11月22日消息，據國外媒體報道，上周六，三星電子推出了多款與3納米芯片制造工藝相關、有助于強化代工生態系統戰略的設計工具和技術。

　　根據此前消息，三星電子的3納米制程工藝將采用GAA技術。與基于FinFET技術的5納米工藝相比，三星首個3納米GAA工藝節點的性能將提升30%，功耗將降低50%，芯片面積將減少35%。

　　今年10月份，三星電子宣布，它將于2022年上半年開始量產3納米芯片，這一時間表將在臺積電之前。據悉，臺積電計劃在2022年7月量產3納米芯片。如果按照三星電子的計劃，它將成為全球第一家量產3納米芯片的代工廠。

　　上周，外媒報道稱，AMD和高通可能將成為三星3納米芯片制程工藝的首批客戶。

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