站長資訊網(wǎng)美光科技在6月29日（本周一）公布了第三季度的財報，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra指出：“展望2020下半年的市場趨勢，有三個關(guān)鍵點(diǎn)。首先，希望數(shù)據(jù)中心的前景廣闊；第二，希望智能手機(jī)和消費(fèi)者終端設(shè)備的銷售情況繼續(xù)改善，從而加速整個供應(yīng)鏈中的庫存消耗；第三，希望新的游戲機(jī)推動更多的DRAM和NAND需求。”
最新的數(shù)據(jù)顯示，美光科技在DRAM的出貨量和NAND ASP（平均售價）增長方面超過了其競爭對手三星和SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強(qiáng)DRAM和NAND閃存實(shí)力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM和NAND依然是我國缺少的關(guān)鍵半導(dǎo)體組件之一。
我國半導(dǎo)體存儲芯片的現(xiàn)狀如何？與美光科技等存儲芯片巨頭的差距還有多遠(yuǎn)呢？
國產(chǎn)芯片供需缺口較大
我國一直在努力減少對國外半導(dǎo)體制造公司的依賴，根據(jù)《中國大陸的半導(dǎo)體和設(shè)備市場：分析與制造趨勢》報告顯示， 2019年我國在集成電路上的進(jìn)口4451.3億塊集成電路，同比增長6.6%，進(jìn)口額為3055.5億美元，同比下降2.1%。集成電路出口2187億塊，同比增長0.7%，出口額為1015.8億美元，同比增長20%。
目前，中國OEM廠商生產(chǎn)電子設(shè)備所需的半導(dǎo)體設(shè)備需求與中國內(nèi)部制造供應(yīng)之間在存在著較大的缺口，盡管中國自主制造的芯片數(shù)量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預(yù)計到2022年供應(yīng)量達(dá)到4千億，需求量達(dá)到7.5億，供需差距3.5億片。
盡管在2019年受到貿(mào)易限制的影響，但中國的半導(dǎo)體進(jìn)口量增速不減，2020年新冠疫情下，中國半導(dǎo)體進(jìn)口量的增長速度甚至更快。
在這樣的情況下，過去九個季度里中國的兩家制造存儲芯片公司，生產(chǎn)3D NAND的長江存儲技術(shù)（YMIC）和生產(chǎn)DRAM的長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）分別購買了30億美元的生產(chǎn)設(shè)備。
國內(nèi)存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀
在中國的存儲芯片市場上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無論是從資金上，還是技術(shù)上，都馬力十足。
長鑫存儲
長鑫存儲的第一家晶圓廠已經(jīng)宣布了19nm技術(shù)的計劃，總產(chǎn)能12萬片/月，產(chǎn)能從兩萬片每月提升到三萬片，推遲了一年多，于2019年底開始生產(chǎn)。長鑫存儲計劃在其Fab 1附近再增加兩個晶圓廠。
此外，長鑫存儲也定下了下一步目標(biāo)，預(yù)計在未來2-3年時間推進(jìn)LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，工藝升級到17nm以下。
長江存儲
長江存儲在武漢的第一個工廠是一座單層建筑，每月產(chǎn)能為12萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現(xiàn)有的12英寸工廠，長江存儲于2017年成功設(shè)計并制造了首款32層NAND閃存芯片。
2019年9月2日，長江存儲宣布64層 NAND閃存芯片已投入生產(chǎn)，基于Xtacking架構(gòu)的256Gb TLC 3D NAND閃存已投入量產(chǎn) 。
2020年4月13日，長江存儲宣布通過與多個控制器合作伙伴的合作，其128層1.33Tb QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070通過了SSD平臺上的示例驗(yàn)證。
據(jù)悉，長江存儲的母公司清華紫光集團(tuán)計劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于2020底開始，但目前進(jìn)度已經(jīng)加快了。盡管清華紫光集團(tuán)沒有透露該工廠的年產(chǎn)能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內(nèi)對其DRAM業(yè)務(wù)進(jìn)行總計8000億元人民幣的投資。
重慶清華紫光
清華紫光集團(tuán)于8月27日宣布，已與重慶市政府簽署協(xié)議，成立研發(fā)中心和DRAM晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計于2022年完工，每月生產(chǎn)10萬片晶圓。該晶圓廠最初計劃于去年開始建設(shè)，但因?yàn)橘Q(mào)易限制以及新冠疫情而推遲了。
兆易創(chuàng)新
兆易創(chuàng)新于2020年4月宣布，計劃通過非公開發(fā)行新股籌集43.2億元人民幣，為進(jìn)軍DRAM存儲市場提供資金。除了自己的DRAM計劃，兆易創(chuàng)新還將投資長鑫存儲。
長江存儲128層NAND即將投入生產(chǎn)，僅落后美光兩個季度
2019年，長鑫存儲的DRAM落后領(lǐng)先的DRAM制造商至少兩代，到2021年，長鑫存儲將落后美光、三星和SK Hynix三代。
2018年，長江存儲的32層NAND落后世界領(lǐng)先的NAND制造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在2020年宣布推出了128層NAND，計劃于2020年第四季度投入生產(chǎn)，這意味著長江存儲的新NAND將僅僅落后美光和SK Hynix兩個季度，與Kioxia/Western Digital（WDC）112層NAND不相上下。
值得一提的是，長江存儲的第二個NAND晶圓廠的建設(shè)計劃將提前。長江存儲的NAND器件使用的是DUV浸沒式光刻技術(shù)制造，即便是沒有ASML的EUV，也能夠生產(chǎn)3D NAND芯片。
因此，我們在追趕美光的過程中，并沒有太多設(shè)備上的障礙，這場存儲芯片追擊戰(zhàn)，有信心取得勝利。
雷鋒網(wǎng)小結(jié)
我國本土的存儲芯片制造企業(yè)雖然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品技術(shù)也較領(lǐng)先企業(yè)落后一些，但長江存儲、長鑫存儲的發(fā)展勢頭迅猛，陸續(xù)修建新的晶圓廠，開發(fā)出新的產(chǎn)品，這讓我們有理由相信，中國的DRAM和NAND存儲芯片終有一日能夠突出重圍，同美光科技等存儲芯片公司展開競爭。
2020年8月7日至8月9日，2020年全球人工智能與機(jī)器人大會（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是AI新基建產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇，設(shè)置了針對新基建學(xué)術(shù)的AI前沿專場、機(jī)器人前沿專場、聯(lián)邦學(xué)習(xí)專場3大專場，針對新基建產(chǎn)業(yè)的AI芯片專場、智能駕駛專場、AIoT專場等的11大專場。AI芯片專場的學(xué)術(shù)大咖和重要企業(yè)技術(shù)VP將共同探討如何用創(chuàng)新的指令集、架構(gòu)以及商業(yè)模式抓住新基建給AI芯片帶來的絕佳機(jī)遇。
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