站長資訊網(wǎng)3月16日消息 國內(nèi)長沙江波龍今日正式發(fā)布 Longsys DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)，包含兩款全新架構(gòu)的產(chǎn)品原型，分別是 1Rank x8 和 2Rank x8 標準型 PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。
官方公布了這兩款內(nèi)存的詳細參數(shù)。可以看出，DDR5 內(nèi)存的速度相比 DDR4 有了明顯提升，PCB 尺寸也與 DDR4 類似。這款內(nèi)存的時序為 40-40-40-77，VDD 電壓 1.1V。
隨后，江波龍在英特爾 AlderLake-S 開發(fā)平臺上對 Longsys DDR5 32GB 6400 內(nèi)存進行了測試。測試使用 Windows 10 專業(yè)版系統(tǒng)，可以看出內(nèi)存頻率為 4800MHz，未發(fā)布的英特爾 12 代處理器型號無法顯示出來。
經(jīng)過魯大師測試，該平臺綜合得分 557901 分，內(nèi)存單項得分高達 193864 分。
值得注意的是，盡管插槽上僅安裝有一條內(nèi)存，但任務(wù)管理器中顯示為雙通道。
官方使用 AIDA64 進行跑分，可以看出這款內(nèi)存的讀取速率為 35844MB/s，內(nèi)存寫入速度 32613MB/s，拷貝速度 28833MB/s。不過內(nèi)存延遲有些高，為 112.1ns，可以預測這是因為英特爾 12 代開發(fā)板固件尚不成熟。
據(jù)了解，江波龍還對 DDR4 內(nèi)存進行了對比測試，可以看出 DDR5 內(nèi)存的性能有了大幅提升，魯大師內(nèi)存跑分提高了一倍。
江波龍 DDR5 內(nèi)存支持片上 On-die-ECC 功能、16n Prefetch 模式(BL16)，均衡模式 DFE 技術(shù)等特性。這款 DDR5 內(nèi)存內(nèi)置獨立雙通道機制，單條實現(xiàn)雙通道，可明顯提高運行速率。
DDR5 內(nèi)存起步頻率為 4800MHz，未來可實現(xiàn)更高的頻率。英特爾 12 代酷睿平臺有望同時兼容 DDR5/DDR4 內(nèi)存，預計于 2021 年末發(fā)布。
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